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太紫微光电光刻胶通过验证
更新时间:2024-10-28 来源:中国化工报
  

  中化新网讯 近日,武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品,通过半导体工艺量产验证,实现配方全自主设计,有望开创国内半导体光刻制造新局面。

  该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列产品UV1610,该产品在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120纳米,且工艺宽容度更大、稳定性更高,坚膜后烘留膜率优秀。其对后道刻蚀工艺表现更为友好,通过验证发现该产品中密集图形经过刻蚀,下层介质的侧壁垂直度表现优异。

  据悉,该公司成立于2024年5月,由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队立足于关键光刻胶底层技术研发,致力于半导体专用高端电子化学品材料的开发,并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术,同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。

  

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